蒸着ガス
持続的な研究開発と積極的な市場対応戦略により, 半導体およびディスプレイ製造工程における中核素材である様々な蒸着ガスを生産・販売しています。
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六フッ化タン
グステンWF6view moreGlobal No. 1 WF6は, 半導体の製造工程でMetal Contactおよびゲートを形成する用途で使用されます。
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モノシランSiH4view more
韓国で初めて, 唯一, モノシラン(SiH4)を生産販売 SiH4は, 半導体, ディスプレイおよび太陽電池の製造工程でSi絶縁膜, Si反射防止膜を形成するときに使用されます。
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ジシランSi2H6view more
Si2H6は, 半導体の微細化工程に使用されるガスで, 薄膜蒸着の際に低温において高速で均一の膜質を形成するための用途で使用されます。
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ジクロロシランSiH2Cl2view more
SiH2Cl2は, 半導体の製造工程で窒化膜(SixNy)の蒸着の際に使用されます。
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モノクロロシランSiH3Clview more
SiH3Clは, 半導体およびディスプレイ工程用として使用されるプリカーサの原材料です。
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トリメチルシラン(3MS, SiH(CH3)3)view more
半導体の金属ライン間の層間平坦化絶縁膜(SiO2)の形成およびギャップフィル工程のためのデポジションガスです。
- 六フッ化タングステン
WF6 - Global No. 1 WF6は, 半導体の製造工程でMetal Contactおよびゲートを形成する用途で使用されます。
- モノシラン
SiH4 - 韓国で初めて, 唯一, モノシラン (SiH4) SiH4は, 半導体, ディスプレイおよび太陽電池の製造工程でSi絶縁膜, Si反射防止膜を形成するときに使用されます。
- ジシラン
Si2H6 - Si2H6は, 半導体の微細化工程に使用されるガスで, 薄膜蒸着の際に低温において高速で均一の膜質を形成するための用途で使用されます。
- ジクロロシラン
SiH2Cl2 - SiH2Cl2は, 半導体の製造工程で窒化膜(SixNy)の蒸着の際に使用されます。
- モノクロロシラン、
SiH3Cl - SiH3Clは, 半導体およびディスプレイ工程用として使用されるプリカーサの原材料です。
- トリメチルシラン
SiH(CH3)3 - 半導体の金属ライン間の層間平坦化絶縁膜(SiO2)の形成およびギャップフィル工程のためのデポジションガスです。
